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博导
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姓名:郝永芹
学历:博士
职称:研究院
研究方向:半导体光电子器件物理与技术
邮箱:celery1231@163.com
主要学习、工作经历
2000--2003:长春理工大学凝聚态物理专业硕士研究生,2003年获理学硕士学位
2003--2007:长春理工大学物理电子学专业博士研究生,2007年获工学博士学位
2003--至今:长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,教师
主要教学工作
主要科研工作

获奖:

1.《XXX面发射激光器技术研究》,国防技术发明三等奖,2010,第一完成人。

2.《808nm高功率半导体激光器理论与制备技术》,2014,吉林省自然科学学术成果二等奖,第一完成人。

 论文:

1. 高光束质量大功率垂直腔面发射激光器,中国激光,51(08):0801001-1-6,2024

2. High power single-higher-mode VCSEL with inverted surface relief,红外与毫米波学报, 37(02):168-172,2018

3. A fundamental mode Nd:GdVO4 laser pumped by a large aperture 808nm VCSEL, Laser Physics Letters, Vol.10, pp.055003-1-3, 2013 

4. Large aperture vertical cavity surface emitting laser with distributed ring contact. Applied Optics, Vol.50(7), pp.1034-1037,2011 

5. 808nm大孔径垂直腔面发射激光器研究, 物理学报, 第60卷, 第6期, 064201.1-064201.5页, 2011 

专利:

1. 具有双层亚波长光栅反射镜的垂直腔面发射半导体激光器,发明专利,2021, 专利号:ZL201710133270.3

2. 表面与侧面介质光栅调制的大功率分布反馈半导体激光器,发明专利,2019,专利号:201710627764.7

3.一种基于表面浮雕结构的环形腔面发射半导体激光器, 发明专利,2014, 专利号:ZL201110138045

4.大出光孔垂直腔面发射半导体激光器的多芯电注入结构, 发明专利,2009,专利号:ZL200610104150.2,


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