主要科研工作成果：

代表性科研项目：

（1）基于SiC基条+LYSO闪烁晶体的紧凑型辐射探测器研制，国家自然基金面上（合作），23万，在研，合作单位项目负责人。

（2）用于CO气体XX关键技术研究，军委科技委，30万，在研，项目负责人。

（3）THz集成系统近场信息扫描仪，国家自然科学基金委重大科研仪器研制（合作项目），68.7万，完成，主要参与人。

发表论文情况：

以第一作者/通讯作者发表论文如下:

(1) Investigation of localized state emissions in quaternary InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells grown by molecular beam epitaxy[J]. Optical Materials Express, 2020, 10(12): 3384-3392. (第1作者, SCI, 中科院二区, 检索号: 000604910800006).

(2) Effect of Rapid Thermal Annealing on the Emission Properties in InGaAsSb/AlGaAsSb Multiple Quantum Wells[J]. physica status solidi (RRL)–Rapid Research Letters, 2021, 15(06): 2000612. (第1作者, SCI, 中科院三区, 检索号: 000646145300001).

(3) The molecular beam epitaxy growth of InGaAsSb/AlGaAsSb quantum well on GaAs substrate with emission wavelength of~ 2µm[C]. Journal of Physics: Conference Series, 2021, 1907(1): 012053. (第1作者, EI, 检索号: 20212110391218).

(4) 快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响[J], 中国激光, 2021, 48(7): 188-195. (通讯作者, EI, 检索号: 20212210420402).

(5) 1310 nm高功率超辐射发光二极管的制备及性能研究[J]. 光子学报, 2021, 50(6):9. (通讯作者, EI, 检索号: 20212810636765).

(6) 垂直腔面发射激光器氧化孔结构对器件激射性能的影响[J]. 中国激光, 2019, 46(3):12-17. (通讯作者, EI, 检索号: 20192106955904).

(7) 垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究[J]. 兵工学报, 2019, 040(012):2482-2487. (通讯作者, EI, 检索号: 20200508107964).

(8)用于层间耦合的绝热光学倒锥工艺研究[J]. 光子学报, 2019, 48(12). (通讯作者, EI, 检索号: 20200708160522).

(9)退火对MBE生长GaAs0.91Sb0.09晶体质量和发光特性影响研究[J]. 中国科技论文, 2017,12(22):2616-2620. (第1作者, 中文核心期刊).

(10) MBE生长Be掺杂GaAs的光学特性及硫钝化处理研究[J]. 中国科技论文在线精品论文. 2017,10(19):2190-2194. (第1作者, 中文期刊).

(11) 以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn1-xO纳米纤维及其光学性质研究[J]. 光谱学与光谱分析, 2014(12):3197-3200. (第1作者, SCI, 中科院四区, 检索号: 000346224300007).

(12) The structural and optical properties of Be-doped GaAs grown by MBE[J]. Advanced Materials Research, 2015, 1118: 111-117.(第1作者, EI, 检索号: 20152317800320).

授权专利情况：

(1) 一种纳米线阵列器件的制备方法，国家发明专利，ZL 201811411998.9，授权公告日：2020年11月03日，授权公告号：CN 109534279 B。（第1发明人，授权）

(2) 一种痕量气体浓度的检测装置，国家发明专利，专利申请号：ZL 202111570126.9，授权公告日：2023年10月31日，授权公告号：CN 114235699 B。（第1发明人，授权）

(3) DETECTOR MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREOF，美国发明专利，US 11929446B2，授权公告日：2024年03月12日。（第4发明人，授权）

(4) 一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法，国家发明专利，ZL 202511596895.4，授权公告日：2026年03月06日，授权公告号：CN 121055152 B。（第2发明人，授权）

(5) 一种含铟三五族化合物半导体材料的干法刻蚀方法，国家发明专利，ZL 202511555605.1，授权公告日：2026年03月06日，授权公告号：CN 121035759 B。（第2发明人，授权）

(6) 一种锑化物多波长激光器材料及其制备方法与应用，国家发明专利，ZL 202511536501.6，授权公告日：2026年03月06日，授权公告号：CN 121011921 B。（第2发明人，授权）

(7) 一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法，国家发明专利，ZL 202511573386.X，授权公告日：2026年03月03日，授权公告号：CN 121055148 B。（第2发明人，授权）

(8) 一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，国家发明专利，ZL 202511959179.8，授权公告日：2026年02月27日，授权公告号：CN 121395055 B。（第2发明人，授权）

(9) 一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，国家发明专利，ZL 201810006341.8，授权公告日：2019年09月27日，授权公告号：CN108183391B。（第2发明人，授权）

(10) 一种2μm波段锑化物双波长窄线宽激光器，国家发明专利，ZL 202511524646.4，授权公告日：2026年03月06日，授权公告号：CN 121035764 B。（第3发明人，授权）

(11) 一种低发散角窄线宽高功率半导体激光器，国家发明专利，ZL 2025 1 1524644.5，授权公告日：2026年03月06日，授权公告号：CN 121035762 B。（第3发明人，授权）

(12) 一种窄线宽半导体激光器，国家发明专利，ZL 201810000258.X，授权公告日：2020年12月22日，授权公告号：CN 108054634 B。（第3发明人，授权）

(13) 一种半导体光放大器，国家发明专利，ZL 201611100374.6，授权公告日：2019年12月10日，授权公告号：CN 106785915 B。（第3发明人，授权）

(14) 一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，ZL 201911411742.2，授权公告日：2021年07月06日，授权公告号：CN 111009496 B。（第3发明人，授权）

(15) 一种实时自校准痕量气体浓度的检测装置，国家发明专利，ZL 202111570147.0，授权公告日：2023年11月14日，授权公告号：CN 114235701 B。（第3发明人，授权）

(16) 一种多组分气体浓度检测装置及方法，国家发明专利，ZL 202111570140.9，授权公告日：2023年11月03日，授权公告号：CN 114235700 B。（第3发明人，授权）

(17) 一种探测器材料及其制备方法，国家发明专利，ZL 202111658225.2，授权公告日：2021年12月30日，授权公告号：CN 114235700 B。（第3发明人，授权）

(18) 一种高导热率半导体衬底及其制备方法和应用，国家发明专利， ZL 201911421077.5，授权公告日：2021年07月06日，授权公告号：CN 111009497 B。（第4发明人，授权）

(19) 一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法，国家发明专利，ZL 201911411778.0，授权公告日：2021年07月06日，授权公告号：CN 111082307 B。（第4发明人，授权）