1996.09-2000.07，吉林大学，物理系，理学学士
2002.09-2008.06，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，凝聚态物理专业，理学博士
2008.07-2010.01，新加坡南洋理工大学，博士后
2000.07-至今，长春理工大学，教师
2014.01-至今，长春理工大学，高功率半导体激光国家重点实验室，副主任
2015.09-至今，长春理工大学，教授

硕士研究生课程《电子科学与技术发展趋势》和《半导体激光器原理》；
博士研究生课程《半导体激光器件物理》和《电子科学与技术前沿》。

主要科研工作成果：

教学获奖：

1.2024年，教育部，“全国优秀教师”称号

科研奖励：

1. 2023年，中央组织部，国家级科技创新领军人才；

2. 2024年，人社部、教育部，全国优秀教师；

3. 2024年，吉林省政府，吉林省技术发明一等奖；

4. 2021年，吉林省政府，吉林省科技进步奖一等奖；

5. 2020年，吉林省政府，吉林省突出贡献专家（省政府津贴）；

6. 2023年，中国产学研合作促进会，中国产学研合作创新奖；

7. 2023年，吉林省科技厅，吉林省杰出青年基金获得者。

学术论文：

（1）中科院一区：3D-Heterojunction Based on Embedded Perovskite Micro-Sized Single Crystals for Fast Photomultiplier Photodetectors with Broad/Narrowband Dual-Mode, Advanced Materials, 影响因子32.1

（2）中科院一区：Interfacial -Electron Cloud Extension and Charge Transfer Between Preferable Single-Crystalline Conjugated MOFs and Graphene for Pulse Generation, Advanced Materials,影响因子32.1

（3）中科院一区：Self-Structural Healing of Encapsulated Perovskite Microcrystals for Improved Optical and Thermal Stability，Advanced Materials，影响因子32.1

（4）中科院一区：Bridging the van der Waals interface for advanced optoelectronic devices，Advanced Materials，影响因子32.1

（5）中科院一区：Built-In 3D-Heterojunction Optical Microcavity Based on an Embedded Microsize Single Crystal in Collaborative Dendritic Perovskite Microcrystals for Ultraviolet Narrowband Photodetectors, ACS Photonics, 影响因子7.5

（6）中科院一区：Controlled Synthesis of Pure-Phase GaAs Nanowires through Shear Tension，ACS Photonics，影响因子7.5

（7）中科院一区：Ultrahigh-performance and broadband photodetector from visible to shortwave infrared band based on GaAsSb nanowires, Chemical Engineering Journal, 影响因子13.3

（8）中科院一区：Enhancing performance of a GaAs/AlGaAs/GaAs nanowire photodetector based on the two-dimensional electron–hole tube structure，Nano letters，影响因子11.2

（9）中科院一区：Directional emissions from perovskite nanocrystals thin film enabled by metasurface integration through one step spin-coating process，Nano Research，影响因子10.3

（10）中科院一区：Perovskite/GaAs-nanowire hybrid structure photodetectors with ultrafast multiband response enhancement by band engineering，Photonics Research，影响因子7.3

（11）中科院二区：Photoresponse improvement of mixed-dimensional 1D-2D GaAs photodetectors by incorporating constructive interface states，Nanoscale，影响因子8.3

（12）中科院二区：Controlling the Random Lasing Action from GaAs/AlGaAs Axial Heterostructure Nanowire Arrays，Nanoscale，影响因子8.3

（13）中科院二区：Femtosecond-laser-induced Supra wavelength Two-Dimensional ZnO Microstructures for Multi-Wavelength Photodetector Devices，Optics Letters, 影响因子3.1

（14）中科院二区：High Frequency Mid-infrared Quantum Cascade Laser Integrated with Grounded Coplanar Waveguide Transmission Line，IEEE Electron Device Letters，影响因子4.1

（15）中科院二区：Unraveling the Discrepancy on Persistent Photoconductivity Between Organic Single-Crystal and Thin-Film Phototransistors，IEEE Electron Device Letters，影响因子4.1

（16）中科院二区：Van Der Waals Integration of Phase-pure 2D Perovskite Sheets and GaAs Nanowires for Self-driven Photodetector，Journal of Materials Chemistry C，影响因子5.7

（17）中科院二区：Very Long Wave Infrared Quantum Cascade Detector Based on Modular Band Structure，Chinese Optics Letters，影响因子3.3

（18）中科院二区：Gate-tunable the interface properties of GaAs-WSe2 (1D-2D) vdWs heterojunction for high-responsivity, self-powered photodetector，Applied Physics Letters，影响因子4.0

（19）中科院二区：Unraveling the Mechanism of the Light‐Triggered Synaptic Plasticity in Organic Photoelectric Synaptic Transistors, Advanced Electronic Materials, 影响因子5.3

（20）中科院二区：Emission-state transition in InGaAsSb/AlGaAsSb multiple quantum wells induced by rapid thermal annealing, Optics & Laser Technology，影响因子4.6

（21）中科院二区：Precise and smooth structure on InP fabricated by femtosecond laser direct writing-assisted wet etching, Optics & Laser Technology,影响因子4.6

（22）中科院二区：Effect of InAs insertion layer on the structural and optical property improvement of InGaAs/InAlAs multiple quantum wells, Journal of Alloys and Compounds，影响因子5.8

（23）中科院二区：Electrostatic discharge induced degradation of optical-electrical properties and defect evolution of GaAs-based oxide-confined VCSELs, Optics Express，影响因子3.2

（24）中科院二区：Air-Stable Self-Driven UV Photodetectors on Controllable Lead-Free CsCu2I3 Microwire Arrays，ACS applied materials & interfaces，影响因子8.3

（25）中科院二区：Enhanced photoresponsivity of a GaAs nanowire metal-semiconductor-metal photodetector by adjusting the fermi level，ACS applied materials & interfaces，影响因子8.3

（26）中科院二区：Room-Temperature Near-Infrared Lasing from GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires Based on Random Cavity，ACS applied materials & interfaces，影响因子8.3

授权发明专利：

    （1）一种用MBE横向生长纳米线的方法，ZL202111636119.4，2023-12-26，中国

    （2）一种实时自校准痕量气体浓度的检测装置，ZL202111570147.0，2023-11-14，中国

    （3）一种多组分气体浓度检测装置及方法，ZL202111570140.9，2023-11-03，中国 

    （4）一种具有高热导率的半导体衬底及其制备方法，ZL201911411742.3，2021-07-06，中国 

    （5）一种调节GaSb纳米线探测器响应波长的方法，ZL201811411972.4，2021-03-09，中国  

    （6）一种窄线宽半导体激光器，ZL201810000258.X，2020-12-22，中国 

    （7）一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法，ZL201810039796.X，2020-07-14，中国 

    （8）一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法，ZL201710352038.9，2020-05-15，中国  

    （9）一种半导体光放大器，ZL201611100374.6，2019-12-10，中国  

    （10）一种发光效率增强的半导体激光器，ZL201611091156.0，2019-09-27，中国 

    （11）一种量子点带间级联激光器，ZL201610436288.6，2019-09-27，中国

    （12）一种提高n型GaSb基半导体激光器材料掺杂浓度的方法，ZL201810006341.8，2019-09-27，中国

    （13）基于能带调制的双重量子点敏化氧化物复合光催化材料，ZL201610108827.3，2019-06-28，中国  

    （14）DETECTOR MATERIAL AND PREPARATION METHOD THEREOF，US11929446B2，2024-03-12，美国